Con su capacidad para operar a una velocidad tan alta y de forma no volátil, PoX podría mejorar enormemente los servidores de IA
Un equipo de científicos de la Universidad de Fudan, China, liderado por el profesor Zhou Peng y Liu Chunsen, ha logrado un avance monumental en la tecnología de memoria, presentando un dispositivo de memoria flash capaz de realizar la asombrosa cifra de 25 mil millones de operaciones por segundo.
Este logro sin precedentes, detallado en la prestigiosa revista Nature, redefine los límites de la velocidad en el almacenamiento de información y promete revolucionar el futuro de la computación, especialmente en el campo de la inteligencia artificial.
Bautizado como «PoX» (o «Poxiao» en algunas referencias), este innovador dispositivo de memoria flash opera a una velocidad de programación de tan solo 400 picosegundos (0.0000000004 segundos). Para poner esto en perspectiva, un pendrive USB convencional puede realizar alrededor de mil operaciones por segundo, y el récord mundial anterior para una tecnología similar era de aproximadamente dos millones de operaciones por segundo.
Con su capacidad para operar a una velocidad tan alta y de forma no volátil, PoX podría mejorar enormemente los servidores de IA. Foto ilustrativa.
La memoria PoX supera este récord por un factor de 100.000, estableciéndose como la memoria de carga de semiconductores más rápida conocida hasta la fecha.
El secreto detrás de esta velocidad radica en una reconfiguración fundamental de la estructura de la memoria flash tradicional. En lugar de los canales de silicio convencionales, los investigadores utilizaron grafeno de Dirac bidimensional, aprovechando sus propiedades de transporte balístico de carga. Esto permite que los electrones alcancen velocidades extremadamente altas de manera casi instantánea, sin el «calentamiento» o la aceleración gradual que limitaba las memorias flash anteriores.
El equipo también empleó optimización de procesos basada en inteligencia artificial para llevar la memoria no volátil a su límite teórico.
Las implicaciones de este avance son profundas. La tecnología PoX, al ser una memoria no volátil, retiene los datos sin necesidad de alimentación constante, lo que podría reducir drásticamente el consumo energético en dispositivos móviles, sistemas de inteligencia artificial de borde y centros de datos. Además, su velocidad sin igual podría eliminar el cuello de botella de la memoria que actualmente limita el rendimiento de los modelos de IA a gran escala, permitiendo el procesamiento en tiempo real de conjuntos de datos masivos. Se podría incluso eliminar la necesidad de cachés SRAM de alta velocidad en chips de IA, haciendo que los diseños sean más compactos y eficientes.
Según el profesor Zhou Peng, «esto es como si el dispositivo pudiera trabajar mil millones de veces en un abrir y cerrar de ojos».
Los investigadores planean escalar la integración de esta tecnología a decenas de megabits en los próximos 3 a 5 años, momento en el cual estará disponible para licencias industriales. Si se logra la producción en masa, la memoria PoX podría transformar la arquitectura informática, permitiendo dispositivos instantáneos y bases de datos completas almacenadas en RAM persistente.
Este hito representa un salto cuántico en la tecnología de almacenamiento, allanando el camino para una nueva era de computación ultrarrápida y energéticamente eficiente, impulsada por la inteligencia artificial.
La Universidad de Fudan es una de las instituciones académicas más prestigiosas y selectivas de China. Con sede en Shanghái, la universidad es reconocida por su excelencia en investigación e innovación en una amplia gama de campos científicos y tecnológicos.
